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[综合资讯] 三星全球首秀3nm！电压只需0.23V

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发表于 2021-3-14 20:19:08 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
IEEE ISSCC国际固态电路大会上，三星（确切地说是Samsung Foundry）首次展示了采用3nm工艺制造的芯片，是一颗256Mb（32MB）容量的SRAM存储芯片，这也是新工艺落地传统的第一步。

在三星路线图上，14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工艺节点，其他则是升级改善型，包括11/8/6/5/4nm等等。



三星将在3nm工艺上第一次应用GAAFET（环绕栅极场效应晶体管）技术，再次实现了晶体管结构的突破，比现在的FinFET立体晶体管又是一大飞跃。

GAAFET技术又分为两种类型，一是常规GAAFET，使用纳米线（nanowire）作为晶体管的鳍（fin），二是MBCFET（多桥通道场效应晶体管），使用的鳍更厚更宽一些，称之为纳米片（nanosheet）。



三星的第一颗3nm SRAM芯片用的就是MBCFET，容量256Mb，面积56平方毫米，最令三星骄傲的就是超低功耗，写入电压只需要区区0.23V，这要感谢MBCFET的多种省电技术。

按照三星的说法，3GAE工艺相比于其7LPP，可将晶体管密度增加最多80％，性能提升最多30％，或者功耗降低最多50％。

或许，这可以让三星更好地控制芯片功耗、发热，避免再出现所谓的“翻车”。
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